
Грядущие техпроцессы, такие как TSMC n2 сулят нам прирост плотности транзисторов до плюс 15%, рост энергоэффективности до плюс 30%, а также рост стоимости пластины на уровне плюс 50%.
Прорывов в мире микроэлектроники даже на уровне перехода от 700-й серии GeForce к 1000-й мы уже давно не наблюдали. И возникает вопрос, а возможны ли такие прорывы в будущем или прогресс в технология будет только стагнировать? И на самом деле, рывок возможен, но ключ к нему лежит сегодня не столько в плоскости оптимизации технологий для производства все более совершенных кремниевых пластин, сколько в поиске принципиально новых материалов.
Селенид индия III (In2Se3), например, одновременно обладает свойствами ферроэлектрика (то есть обладает собственным вектором поляризации без воздействия внешнего электрического поля) и пьезоэлектрика (то есть может генерировать электрический заряд в следствии механического воздействия), и эксперименты показывают, что на его основе можно создавать уникальные ячейки памяти, которые могут хранить промежуточные значения от нуля до единицы, что в теории позволило бы создавать компактные модули с объемом памяти как у SSD и скоростью памяти как у RAM, при потреблении энергии "в миллиард раз" меньше, чем у современной памяти. На основе этого материала можно создавать память с фазовых переходом (ага, прямо как термопаста, только тверже и мягче становятся транзисторы).
Однако кремния на земле очень много, а вот для производства селенида индия требуется более редкое сырье. К тому же могут быть и другие технические барьеры, но, в любом случае, прогресс не стоит на месте, и так или иначе мы будем видеть появление новых материалов как в отдельных чиплетах, так и в аккумуляторах, но классический кремний и литий с нами еще очень надолго.
Прорывов в мире микроэлектроники даже на уровне перехода от 700-й серии GeForce к 1000-й мы уже давно не наблюдали. И возникает вопрос, а возможны ли такие прорывы в будущем или прогресс в технология будет только стагнировать? И на самом деле, рывок возможен, но ключ к нему лежит сегодня не столько в плоскости оптимизации технологий для производства все более совершенных кремниевых пластин, сколько в поиске принципиально новых материалов.
Селенид индия III (In2Se3), например, одновременно обладает свойствами ферроэлектрика (то есть обладает собственным вектором поляризации без воздействия внешнего электрического поля) и пьезоэлектрика (то есть может генерировать электрический заряд в следствии механического воздействия), и эксперименты показывают, что на его основе можно создавать уникальные ячейки памяти, которые могут хранить промежуточные значения от нуля до единицы, что в теории позволило бы создавать компактные модули с объемом памяти как у SSD и скоростью памяти как у RAM, при потреблении энергии "в миллиард раз" меньше, чем у современной памяти. На основе этого материала можно создавать память с фазовых переходом (ага, прямо как термопаста, только тверже и мягче становятся транзисторы).
Однако кремния на земле очень много, а вот для производства селенида индия требуется более редкое сырье. К тому же могут быть и другие технические барьеры, но, в любом случае, прогресс не стоит на месте, и так или иначе мы будем видеть появление новых материалов как в отдельных чиплетах, так и в аккумуляторах, но классический кремний и литий с нами еще очень надолго.