Новости электроники

Минпромторг ужесточает требования к производству печатных плат

Проект поправок к постановлению правительства №719 опубликован на портале нормативных правовых актов 21 августа. В перечень обязательной к локализации российской продукции предлагается включить 13 типов оборудования, в том числе станки и установки для механической обработки плат, рентгеновского контроля, нанесения и обработки фоторезиста, химической обработки и др. Проект также предусматривает и локализацию компонентов оборудования (химически стойкие насосы и жидкостные фильтры, измерительные узлы).

В описании к проекту Минпромторг приводит несколько производителей необходимого оборудования: механическое для резки и проявления, для жидкостной химической обработки изготавливает ООО «Корпорация СТО ВИТРИ», а оборудование для нанесения жидкого и сухого фоторезиста, проявления, жидкостной химической обработки и др.— ООО «СпбЦ "Элма"». Для иных типов оборудования, например рентгеновских установок или оборудования прессования плат, производителей нет.

Все предлагаемые к локализации позиции критичны для выпуска современной электроники, достижимый класс точности на таком оборудовании ограничивается 3–4 м, говорит гендиректор АНО «Консорциум печатных плат» Ольга Кожуховская.

Для плат пятого класса и выше требуются еще более жесткие технологические решения, добавила она. На данный момент основными поставщиками в России являются зарубежные вендоры, тогда как российские производители пока предлагают единичные образцы, которые не носят серийного характера и уступают импортным аналогам по качеству.

Емкость рынка печатных плат в РФ в 2025 году составила 123 млн кв. дм, из них на российские пришлось только 24%. 

Подробнее: https://www.kommersant.ru/doc/8907276

Омические контакты с низким сопротивлением открывают путь к усовершенствованным полупроводниковым устройствам на основе нитрида галлия

Полупроводниковые устройства, такие как светодиоды и транзисторы, обычно состоят из двух частей: n-типа, в которой отрицательный заряд переносится электронами, и p-типа, в которой движутся носители положительного заряда — дырки, которые, по сути, представляют собой пустоты в электронных оболочках. Обе части соединены с контактами, через которые электрический ток может проходить с минимальными потерями энергии. Эти соединения, известные как омические контакты, на протяжении десятилетий были узким местом в эффективности тонких полупроводников p-типа на основе нитрида галлия из-за их высокого сопротивления.

Группа ученых под руководством Хайтао Вана и Цзя Вана из Института материалов и систем устойчивого развития (IMaSS) Университета Нагои предложила новый способ снижения сопротивления контактов из нитрида галлия p-типа. Они нанесли на поверхность p-GaN ультратонкий слой магния и подвергли его термообработке при температуре 600 градусов Цельсия в течение пяти минут, тем самым добившись удельного сопротивления контакта (1–3) × 10⁻⁴ Ом см² без повреждения поверхности. Это одно из самых низких значений контактного сопротивления для тонкого нитрида галлия p-типа.

Результаты разработки, которая сделает широкий спектр электронных устройств, для электромобилей и ЦОДов более энергоэффективными, были опубликованы в журнале Applied Physics Letters.

Подробнее: https://russianelectronics.ru/omicheskie-kontakty-s-nizkim-soprotivleniem-otkryvayut-put-k-usovershenstvovannym-poluprovodnikovym-ustrojstvam-na-osnove-nitrida-galliya/

#новостиэлектроники

Защиту Windows можно обойти без физического доступа

Эксперты доказали, что самые мощные средства защиты Windows 11 могут быть взломаны злоумышленником, который даже не прикасается к целевому компьютеру.

Исследователи из Бирмингемского и Даремского университетов представили свои выводы на Симпозиуме по безопасности USENIX 2026 в Балтиморе. Они выявили серьёзный изъян в предпосылках доверия, лежащих в основе современной системы безопасности Windows.

Их исследование показывает, что некоторые потребительские модули памяти позволяют злоумышленнику обойти средства защиты, на которые опирается Windows, не имея физического доступа к компьютеру. Атака под названием «Загрузить больше оперативной памяти» использует тот факт, что многие двухрядные модули памяти (DIMM) не имеют защиты от записи на микросхеме конфигурации, которая сообщает компьютеру, какой объем памяти установлен.

Переписав эту конфигурацию с помощью программного обеспечения, злоумышленник может заставить машину «видеть» в два раза больше памяти, чем у нее есть на самом деле. Это открывает доступ к дополнительным адресам, которые становятся псевдонимами для реальных адресов, создавая бэкдор в память, который обходит все средства контроля доступа, предусмотренные операционной системой и процессором.

Профессор Том Чотия из Бирмингемского университета сказал: «Наша работа использует тот факт, что все процессы используют одну и ту же память, чтобы обойти самые надежные средства защиты Windows». Для предыдущих атак такого рода требовалась отвертка и физический доступ к машине. Для этой нужен всего лишь скрипт. Это меняет вопрос о том, кто может ее осуществить и как далеко она может распространиться.

Создав «псевдонимы памяти», исследователи успешно продемонстрировали, что злоумышленник может:

вновь включить сотни запрещенных драйверов с известными уязвимостями, которые использовались в прошлых кампаниях по распространению вредоносного ПО и программ-вымогателей.

отключить антивирусное программное обеспечение и системы обнаружения и реагирования на конечных точках (EDR), которые непрерывно отслеживают активность компьютеров, телефонов и серверов, чтобы предотвращать кибератаки.

проникнуть в анклавы безопасности на основе виртуализации (Virtualization-based Security, VBS) и получить доступ к секретам, хранящимся в наиболее изолированных средах Microsoft.

Обход корпоративного управления устройствами — компрометация заблокированных компьютеров с помощью групповых политик, имитирующих типичную корпоративную или университетскую среду.

Обход игровых античит-систем на уровне ядра — отключение механизмов обнаружения, которые не смогли предотвратить подмену данных.

Команда также создала скрипт, который одним щелчком мыши выполняет целую цепочку атакующих действий — подмену памяти, перезагрузку и отключение антивируса — без участия пользователя, что доказывает, что атака подходит для автоматизированных крупномасштабных кампаний.

Исследователи изучили популярные потребительские модули памяти DDR4 и DDR5 и обнаружили, что три производителя — Corsair, G.Skill и ADATA — выпускают по крайней мере одну линейку продуктов с конфигурационным чипом, оставленным полностью незащищённым, вопреки рекомендациям Объединённого совета по разработке электронных устройств (JEDEC).

В совокупности на долю этих производителей приходится 55% рынка высокопроизводительной потребительской памяти и более 70% игрового сегмента. Было обнаружено, что модули Crucial, Kingston и HyperX, а также некоторые линейки G.Skill используют частичную защиту от записи, которой достаточно, чтобы блокировать атаку.

Исследователи смогли прочитать и изменить любую память в системе, в том числе ту, доступ к которой, как гарантирует Windows, закрыт даже для самой операционной системы. Это нарушает не только VBS, но и целостность кода, обеспечиваемую гипервизором (Hypervisor Enforced Code Integrity, HVCI) — технологии, разработанные Microsoft для защиты Windows даже от злоумышленников с правами администратора.

#новостиэлектроники

Российские и эмиратские ученые разработали новый тип V-образных волноводов, который обладает оптимальной геометрией и оптическими свойствами для обработки и передачи сигналов на большие расстояния внутри оптических вычислительных схем и прочих фотонных приборов

Долгое время вычислительные мощности и объемы памяти компьютеров удваивались каждые два года, однако в последние годы темпы развития полупроводниковой электроники значительно замедлились, так как транзисторы по размерам уже приближаются к атомам. Физики и инженеры пытаются заменить электронные логические цепочки на их световые аналоги, чему пока мешают два фактора. Во-первых, движением света крайне сложно управлять внутри миниатюрных чипов, во-вторых, пока не существует надежных систем хранения информации в световом виде.

Исследователи из МФТИ и ученые из центра Xpanceo (ОАЭ) сделали большой шаг к решению первой проблемы при теоретическом изучении свойств разработанных ими волноводов. Они представляют собой V-образные каналы, сформированные в толще материала с необычными физическими свойствами, который состоит из нескольких прослоек оксихлорида молибдена (MoOCl2), уложенных друг поверх друга.

Благодаря особой структуре, оптические свойства материала сильно зависят от того, в каком направлении через него движется свет. При движении фотонов под одним углом "стопка" из слоев оксихлорида молибдена ведет себя как металл, а в другом - как диэлектрик, в результате чего внутри нее возникают особые квазичастицы, гиперболические плазмон-поляритоны, которые позволяют очень точечным образом локализовать излучение, манипулировать его движением и свойствами.

Проведенные исследователями расчеты показали, что волноводы на базе данного материала способны сохранять сигнал на больших расстояниях, порядка нескольких десятков микрон. При этом их использование позволяет уменьшить ширину и вертикальный размер устройства в несколько десятков раз по сравнению с волноводами из золота. Это существенным образом приближает человечество к разработке первых эффективных фотонных интегральных систем, подытожили физики.

Подробнее: https://tass.ru/nauka/28039961

Создан транзистор, выдерживающий температуру 600 ° C

Исследовательская группа из Киотского университета создала транзистор из карбида кремния (SiC), который работает при температуре 600 °C (873 К).

Транзистор был создан с помощью ионной имплантации — этапа легирования, который используется на всех коммерческих фабриках по производству микросхем. Разрыв между расчетным и измеренным пороговым напряжением составил менее 0,1 В при температуре 400 °C по сравнению с более чем 2 В при традиционной компоновке. Работа, анонсированная и опубликованная в APL Electronic Devices, объединяет транзистор с нижним затвором и структурой с двойной изоляцией, чтобы полевой транзистор с ионно-имплантированным SiC-переходом оставался стабильным при температурах, при которых кремний перестает работать выше примерно 250 ° C.

Схема с нижним затвором помещает электрод затвора под каналом, который улавливает легирующие примеси, которые рассеиваются глубже, чем предполагалось, во время имплантации, эффект канализации, который снизил пороговые значения обычных JFET с верхним затвором более чем на 2 В. После компенсации эффекта каналирования разница между расчетным и измеренным пороговым напряжением при температуре 400 °C сократилась до менее чем 0,1 В.

Двухлучевая структура изолирует каждое устройство внутри p-n-перехода, а не опирается на полуизолирующую подложку из карбида кремния, которая теряет свои изоляционные свойства при нагревании и пропускает ток утечки через пластину. Исследователи сообщили, что остаточный ток утечки близок к теоретическому минимуму, обусловленному свойствами самого карбида кремния, так что на уровне устройства остается мало возможностей для его снижения.

В то же время, согласно опубликованным результатам испытаний, проведенных в Исследовательском центре Гленна НАСА, кремниево-карбидные интегральные схемы с полевым транзистором с управляющим p-n-переходом, содержащие более 175 транзисторов, проработали более года при температуре 500 °C на воздухе и 60 дней на имитации поверхности Венеры при температуре 460 °C и давлении 9,3 МПа без экранирования. Эти микросхемы изготовлены из эпитаксиальных полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом по специальной технологии. Исследователи из Киотского университета добились более высокой температуры устройства с помощью ионной имплантации — метода, который уже стал стандартным для крупных фабрик и подходит для массового производства.

Новости электроники МАХ I VK

Уважаемые коллеги!

Приглашаем Вас разместить технические материалы и информацию по продуктам и компетенциям вашей компании в журнале «Электронные компоненты» №09/2026, который будет представлен на выставке RADEL -2026, Форуме “Микроэлектроника-2026”, конференции “Испытание и тестирование изделий электронной техники”, а также распространяется по подписке в печатном и электронном виде.

Журнал «Электронные компоненты» – первый журнал по электронным компонентам в России. Журнал издается с 1995 г. и является авторитетным источником профессиональной информации для разработчиков и производителей электронной аппаратуры, технического руководства предприятий отрасли, директоров по снабжению и надежным маркетинговым партнером для производителей и дистрибьюторов электронных компонентов.
Помимо выставок, журнал будет распространяться по подписке в печатной и электронной формах среди разработчиков, производителей и потребителей электронной продукции.
Также он входит в систему РИНЦ и выкладывается в электронную библиотеку elibrary.ru

Подробная информация по ссылке: https://disk.yandex.ru/d/3YEKX5BHsFtLkg

Производители печатных плат заявили о нехватке сырья

Производители печатных плат попросили Минпромторг смягчить требования к локализации продукции из-за нехватки отечественных материалов. Обязательный переход на российское сырье может сорвать сроки производства в пиковый для отрасли четвертый квартал и увеличить стоимость материалов в два-восемь раз. Участники рынка отмечают, что оптимальным решением было бы признавать продукцию отечественной на основе техпроцессов и уже подтвержденных материалов.

На четвертый квартал всегда приходился пик производства электроники, поэтому дефицит действительно возможен, отмечает представитель производителя электроники Fplus. Для изготовления платы нужны основание и подложки из диэлектриков, медная фольга, химия для осаждения меди и др. В России есть материалы, которые могут заменить часть импортных аналогов, но по соотношению цены и качества они не соответствуют современным стандартам, добавили в компании. Китайские же платы и сырье всегда дешевле примерно на 40–60%, чем отечественные.

Российские компоненты выпускают «Винтех», «Электроресурс» совместно с НТЦ «Элифом», Бобровский изоляционный завод и другие предприятия, перечисляет эксперт НТИ по новым материалам и технологиям Евгений Вишневский. Но их возможности еще не подтверждены стабильными поставками крупных партий, и для сложных плат полноценной замены импорта нет.

Подробнее: https://www.kommersant.ru/doc/8906437

С докладом "Конец лоскутной автоматизации: почему промышленности нужен не ещё один продукт, а связующий слой" на конференции "IIoT -2026" выступит Илья Быконя, CEO и founder компании Rightech

Сайт конференции: https://b2bconf.ru/iiot_2026

SK hynix представила дорожную карту по развитию копакетированной оптики

SK hynix переходит от роли поставщика памяти к более значимой роли в инфраструктуре искусственного интеллекта. Компания объединила усилия с ведущими исследователями со всего мира, чтобы представить дорожную карту для копакетированной оптики (co-packaged optics, CPO), ключевой технологии для инфраструктуры искусственного интеллекта следующего поколения.

По мере того как гипермасштабируемые ИИ-кластеры масштабируются до тысяч графических процессоров и стеков HBM, обычные медные соединения начинают выходить из строя, а более высокие скорости и большие расстояния приводят к увеличению энергопотребления, задержек и усложнению передачи сигналов, объясняет SK hynix, добавляя, что это создает новое узкое место — ограничение пропускной способности, которое все больше препятствует перемещению данных между системами ИИ.

На этом фоне CPO решает эту проблему, интегрируя оптические приемопередатчики (TRx) непосредственно в корпус процессора, сокращая длину высокоскоростных электрических цепей и используя оптические соединения для передачи данных на большие расстояния.

Как отмечает SK hynix, в долгосрочной перспективе технология CPO позволит подключить оптические межсоединения непосредственно к интерфейсу памяти, преодолев физические ограничения традиционных корпусов. Таким образом, предлагаемая компанией архитектура, ориентированная на оптические технологии, использует фотонный интерпозер для прямого соединения памяти и процессоров, повышая эффективность передачи данных в системе.

По мнению компании, такая архитектура также позволит нескольким ускорителям искусственного интеллекта совместно использовать большой пул памяти, что обеспечит более гибкое перемещение данных и более эффективное масштабирование по мере роста размеров и сложности моделей ИИ.

В дорожной карте SK hynix также четко обозначены цели для инфраструктуры искусственного интеллекта следующего поколения, в том числе пропускная способность более 100 Тбит/с на узел, энергоэффективность менее 1 пДж/бит и задержка между чипами менее 10 нс. В дорожной карте рассматриваются 2D-корпусирование, 2,5D-прослойки и 3D-гетерогенная интеграция, а также обозначаются ключевые технические проблемы на пути к коммерциализации.

Новости электроники MAX I VK

#новостиэлектроники

Именно такая геометрия давно интересует физиков, поскольку в ней могут возникать необычные коллективные квантовые состояния.

Подробнее: https://russianelectronics.ru/upravlyaemyj-kvantovyj-mir-fiziki-sozdali-perestraivaemyj-dvumernyj-elektrostaticheskij-kristall/

Управляемый квантовый мир: физики создали перестраиваемый двумерный электростатический кристалл

Физики из Австралии, России и Великобритании создали искусственный двумерный электростатический кристалл, электронные свойства которого можно непрерывно менять электрическим напряжением и магнитным полем. Настраиваемый искусственный кристалл сформирован внутри знакомой полупроводниковой структуры — слоя арсенида галлия в арсениде алюминия-галлия. Для этого ученые наложили на двумерный электронный газ (тончайший электронный слой) периодический электростатический рельеф. Меняя напряжения на двух затворах, исследователи смогли в одном и том же чипе перестраивать электронный спектр от «графеноподобного» к «кагоме-подобному», то есть получать разные типы энергетических зон без замены самого образца.

Свойства твёрдых тел определяются тем, как расположены атомы и как взаимодействуют электроны. Так возникает сверхпроводимость, магнетизм и другие необычные квантовые эффекты. Однако в природных материалах параметры кристалла изменить практически невозможно, поскольку они установлены атомной решёткой, заданной химическим составом и кристаллической структурой материала.

В новом устройстве дополнительную периодическую решётку создаёт электрическое поле: для электронов формируется искусственный пространственно-периодический потенциал, геометрия и амплитуда которого задаются конструкцией устройства и приложенными напряжениями.

В обычном кристалле электроны движутся в поле атомов, расположенных в строго определенном порядке. А в новом искусственном кристалле над тонким слоем электронов создали периодический электрический рельеф: электрон «ощущает» ограничения, заданные электрическим потенциалом и начинает вести себя так, будто находится в кристалле с заданной геометрией. Причем эту геометрию можно перестраивать «на лету», меняя управляющее напряжение.

В многослойной полупроводниковой структуре из арсенида галлия – арсенида алюминия-галлия авторы работы сформировали двумерный электронный газ — тончайший слой, где электроны могут свободно двигаться, но только в одной плоскости. Всего в 25 нанометрах над двумерным электронным газом расположили металлический затвор (электрод) с регулярной треугольной сеткой отверстий. Период этой сетки — 100 нанометров, то есть в сотни раз больше расстояний между атомами в обычном кристалле.

Выше, отделенный диэлектриком, — еще один металлический затвор, который позволял менять силу периодического электрического поля. Первый затвор в основном задавал плотность электронов в двумерном электронном газе, второй — насколько сильно они «чувствуют» искусственную решетку. Меняя напряжение, прикладываемое к первому затвору, можно притягивать электроны к искусственному кристаллу или, наоборот, отталкивать их, тем самым управляя количеством электронов. Чем больше электронов в кристалле – тем больше энергетических зон заполнено ими. А сквозь отверстия в первом затворе проникают силовые линии электрического поля от второго затвора и выталкивают электроны из-под отверстий, иначе говоря – формируют потенциальный рельеф для электронов с «вершинами» под отверстиями и «ямами» между ними. Высота этого рельефа, задающего двумерный искусственный кристалл, управляется напряжением, приложенным ко второму затвору.

Управляя электростатическом потенциалом, ученые обнаружили, что при слабом потенциале электроны ведут себя почти как свободные частицы. По мере увеличения потенциала, начинают формироваться новые энергетические зоны (минизоны).

Сначала, при увеличении потенциала, возникает структура, аналогичная графену. В ней появляются так называемые дираковские конусы — особые точки, где электроны начинают вести себя как почти безмассовые частицы. При дальнейшем увеличении система перестраивается ещё сильнее и превращается в электронный аналог кагоме-решётки. Название происходит от традиционного японского орнамента, образующего сеть треугольников и шестиугольников.

Подробнее: https://russianelectronics.ru/upravlyaemyj-kvantovyj-mir-fiziki-sozdali-perestraivaemyj-dvumernyj-elektrostaticheskij-kristall/

#новостиэлектроники

Свет вместо электричества: российские ученые предложили новый принцип оптической памяти

Ученые Российского квантового центра, МФТИ и СПбГУ разработали теоретическую модель оптической памяти, которая может применяться в будущих вычислительных системах. 

В предложенной схеме памятью служит поляритонный конденсат Бозе — Эйнштейна — коллективное состояние света и вещества в полупроводниковой структуре. Световой импульс задает ему определенную поляризацию, после чего это состояние продолжает сохраняться и усиливаться за счет новых частиц.

Компьютерное моделирование показало, что система способна удерживать заданную поляризацию в течение сотен пикосекунд. Это примерно в 100 раз превышает время жизни отдельного поляритона. При этом состояние удавалось задать даже очень слабым сигналом, соответствующим одному фотону. Более мощное возбуждение повышало устойчивость памяти.

Подробнее:
https://www.ixbt.com/news/2026/08/20/429280-rossiiskie-ucenye-predlozili-novyi-princip-opticeskoi-pamiati.html

#новостиэлектроники #память

C докладом «От функционального тестирования к диагностике: как данные автоматизированных испытаний помогают выявлять скрытые дефекты электронных изделий» на конференции "Испытание и тестирование изделий электронной техники" 22 октября в Москве выступит Татьяна Красик, PhD, IEEE Senior Member, независимый исследователь, эксперт в области RF/microwave-измерений и автоматизированного тестирования, автор методики поверки, применяемой в национальной метрологической системе более 10 лет.

Доклад посвящён использованию данных автоматизированных функциональных испытаний не только для принятия решения «годен/не годен», но и для выявления скрытых и нестабильных дефектов электронных изделий. Будут рассмотрены подходы к анализу повторяющихся и пограничных результатов, выявлению отклонений в измеряемых параметрах и построению диагностических последовательностей, позволяющих быстрее локализовать причину неисправности. Отдельное внимание будет уделено практическим примерам из области RF/СВЧ-оборудования и способам сокращения времени диагностики без снижения достоверности испытаний.

Сайт конференции: https://b2bconf.ru/testing
 

Российские ученые в Квантум Парке МГТУ им. Н. Э. Баумана и ФГУП "ВНИИА" разработали технологию производства сверхпроводниковых интегральных схем на основе тантала, которая позволяет более чем в 10 раз повысить качество компонентов для квантовых вычислителей

Тантал значительно устойчивее алюминия к воздействию кислот и других агрессивных сред. Благодаря этому изготовленные на его основе структуры можно подвергать более интенсивной обработке, удаляя с поверхности атомарные загрязнения и оксиды, которые ухудшают характеристики кубитов. Кроме того, естественный оксид тантала содержит значительно меньше дефектов по сравнению с оксидом алюминия, благодаря чему квантовая информация сохраняется дольше.

Качество разработанной технологии специалисты проверили на танталовых микроволновых резонаторах. Их добротность превысила 10 млн в однофотонном режиме. Этот показатель характеризует способность системы сохранять квантовую информацию. "Достигнутый показатель - в числе лучших в мире: подобные значения сегодня доступны только коллегам из Принстонского университета и Бельгийского нанотехнологического центра IMEC", - отмечается в сообщении пресс-службы МГТУ им. Н. Э. Баумана

Подробнее: https://tass.ru/nauka/28027567

#новостиэлектроники