Создан опытный образец самого передового в России литографа для производства чипов
АО «Зеленоградский нанотехнологический центр» (ЗНТЦ) завершил третий этап опытно-конструкторских работ по созданию фотолитографической установки с проектными нормами 130 нм.
Оборудование предназначено для проекционного переноса изображения топологического рисунка интегральных схем на полупроводниковые пластины диаметром до 200 мм и мультипликации его на пластине при изготовлении сверхбольших интегральных схем (СБИС) с проектной топологической нормой 130 нм.
В рамках работ изготовлены два опытных образца эксимерного лазера с длиной волны 193 нм. Также изготовлены фотошаблоны, тестовые структуры, стенд для измерения и контроля фотолитографических и аберрационных характеристик объективов на рабочих длинах волн, отработаны базовые технологические процессы.
❗️ Мы в Макс | Читать ВК, ТenСhat, РБК Компании | Смотреть на Дзен | Смотреть на Rutube | Поддержать канал
АО «Зеленоградский нанотехнологический центр» (ЗНТЦ) завершил третий этап опытно-конструкторских работ по созданию фотолитографической установки с проектными нормами 130 нм.
Оборудование предназначено для проекционного переноса изображения топологического рисунка интегральных схем на полупроводниковые пластины диаметром до 200 мм и мультипликации его на пластине при изготовлении сверхбольших интегральных схем (СБИС) с проектной топологической нормой 130 нм.
В рамках работ изготовлены два опытных образца эксимерного лазера с длиной волны 193 нм. Также изготовлены фотошаблоны, тестовые структуры, стенд для измерения и контроля фотолитографических и аберрационных характеристик объективов на рабочих длинах волн, отработаны базовые технологические процессы.
❗️ Мы в Макс | Читать ВК, ТenСhat, РБК Компании | Смотреть на Дзен | Смотреть на Rutube | Поддержать канал