Российский научный фонд открывает прием заявок на конкурс ориентированных и прикладных научных исследований по направлению «Микроэлектроника».
Конкурс проводится по 16 лотам:
✔️ Лот № 1 «Разработка комплекса газоочистки агрессивных примесей в выхлопных газах процесса газофазной эпитаксии (CVD)».
✔️ Лот № 2 «Разработка технологии оптимизации CVD‑эпитаксии низкодефектных слоёв 4H‑SiC длякарбид‑кремниевой силовой электроники на основеадаптивных алгоритмов и моделей машинного обучения».
✔️ Лот № 3 «Разработка технологии повышения точности и робастности интегрально-оптического датчика напряжения на основе ниобата лития».
✔️ Лот № 4 «Разработка теплового узла, методики выращивания монокристаллов карбида кремния из раствора в расплаве, включая адаптивную систему автоматизации технологического процесса».
✔️ Лот № 5 «Исследование конструктивно-технологических решений и разработка технологии изготовления миниатюрных ВЧ и СВЧ интегральных LTCC-модулей с пьезоэлектрическими фильтрами и малошумящим усилителем».
✔️ Лот № 6 «Исследование и разработка технологических решений двукратной литографии для повышения плотности компоновки топологии при формировании линий затвора СБИС на базе технологии 90 нм».
✔️ Лот № 7 «Кремниевая технология сверхширокополосных шумовых источников до 50 ГГц для отечественных СВЧ-измерительных систем и метрологии».
✔️ Лот № 8 «Разработка цифровой архитектуры интеллектуальных СВЧ генераторов шума».
✔️ Лот № 9 «Разработка библиотеки стандартных элементов и комплексного инструмента проектирования СВЧ МИС на основе InGaP/GaAs гетеробиполярныхтранзисторов».
✔️ Лот № 10 «Проведение исследований процессов каталитически-сорбционной очистки и разработка регенерируемых финишных очистителей и установок очистки азота, аргона и сжатого воздуха от примесей O2, H2O, CO, CO2, CxHy до уровня их содержания не более 1 ppb и методов контроля качества».
✔️ Лот № 11 «Разработка и аттестация методик аналитического контроля качества деионизованной воды для микроэлектронного производства с проектными нормами 28 нм».
✔️ Лот № 12 «Проведение исследований и разработка научно-методических основ и экспериментального комплекса динамической генерации примесей O2, H2O, CO, CO2, CxHy в чистом N2, Ar, XCDA на уровне 1 ppb для калибровки газоаналитического оборудования».
✔️ Лот № 13 «Разработка и внедрение технологии идентификации и контроля загрязнений при синтезе полимерной основы литографических материалов для технологий 180/90 нм».
✔️ Лот № 14 «Разработка конструкции и технологии эпитаксиального роста полупроводниковых гетероструктурGaAs/AlGaAs/InGaP, обеспечивающих возможность монолитной интеграции в одном кристалле гетеробиполярного транзистора и варикапа в целях организации серийного производства широкополосных GaAs СВЧ-генераторов, управляемых напряжением».
✔️ Лот № 15 «Разработка технологического блока формирования третьего уровня металлизации и топологий многоуровневых библиотечных элементов с целью модернизации стандартной технологии проектирования и производства СВЧ МИС на основе GaAs нормально открытых pHEMT с проектной нормой 0,5 мкм».
✔️ Лот № 16 «Исследование физико-технологических основ и отработка технологии лазерного микробампирования со струйной подачей припоя».
Грант выделяется на реализацию проекта в интересах квалифицированного заказчика в 2026-2028 годах.
Размер гранта составит до 30 млн рублей в год при обязательном софинансировании квалифицированным заказчиком в объеме не менее 5 процентов от общего размера гранта Фонда.
📌 Заявки на конкурс представляются до 17:00 (мск) 5 ноября 2026 года.
📌 Результаты конкурсного отбора будут подведены до 8 декабря 2026 года.
Подробности на сайте РНФ
Конкурс проводится по 16 лотам:
✔️ Лот № 1 «Разработка комплекса газоочистки агрессивных примесей в выхлопных газах процесса газофазной эпитаксии (CVD)».
✔️ Лот № 2 «Разработка технологии оптимизации CVD‑эпитаксии низкодефектных слоёв 4H‑SiC длякарбид‑кремниевой силовой электроники на основеадаптивных алгоритмов и моделей машинного обучения».
✔️ Лот № 3 «Разработка технологии повышения точности и робастности интегрально-оптического датчика напряжения на основе ниобата лития».
✔️ Лот № 4 «Разработка теплового узла, методики выращивания монокристаллов карбида кремния из раствора в расплаве, включая адаптивную систему автоматизации технологического процесса».
✔️ Лот № 5 «Исследование конструктивно-технологических решений и разработка технологии изготовления миниатюрных ВЧ и СВЧ интегральных LTCC-модулей с пьезоэлектрическими фильтрами и малошумящим усилителем».
✔️ Лот № 6 «Исследование и разработка технологических решений двукратной литографии для повышения плотности компоновки топологии при формировании линий затвора СБИС на базе технологии 90 нм».
✔️ Лот № 7 «Кремниевая технология сверхширокополосных шумовых источников до 50 ГГц для отечественных СВЧ-измерительных систем и метрологии».
✔️ Лот № 8 «Разработка цифровой архитектуры интеллектуальных СВЧ генераторов шума».
✔️ Лот № 9 «Разработка библиотеки стандартных элементов и комплексного инструмента проектирования СВЧ МИС на основе InGaP/GaAs гетеробиполярныхтранзисторов».
✔️ Лот № 10 «Проведение исследований процессов каталитически-сорбционной очистки и разработка регенерируемых финишных очистителей и установок очистки азота, аргона и сжатого воздуха от примесей O2, H2O, CO, CO2, CxHy до уровня их содержания не более 1 ppb и методов контроля качества».
✔️ Лот № 11 «Разработка и аттестация методик аналитического контроля качества деионизованной воды для микроэлектронного производства с проектными нормами 28 нм».
✔️ Лот № 12 «Проведение исследований и разработка научно-методических основ и экспериментального комплекса динамической генерации примесей O2, H2O, CO, CO2, CxHy в чистом N2, Ar, XCDA на уровне 1 ppb для калибровки газоаналитического оборудования».
✔️ Лот № 13 «Разработка и внедрение технологии идентификации и контроля загрязнений при синтезе полимерной основы литографических материалов для технологий 180/90 нм».
✔️ Лот № 14 «Разработка конструкции и технологии эпитаксиального роста полупроводниковых гетероструктурGaAs/AlGaAs/InGaP, обеспечивающих возможность монолитной интеграции в одном кристалле гетеробиполярного транзистора и варикапа в целях организации серийного производства широкополосных GaAs СВЧ-генераторов, управляемых напряжением».
✔️ Лот № 15 «Разработка технологического блока формирования третьего уровня металлизации и топологий многоуровневых библиотечных элементов с целью модернизации стандартной технологии проектирования и производства СВЧ МИС на основе GaAs нормально открытых pHEMT с проектной нормой 0,5 мкм».
✔️ Лот № 16 «Исследование физико-технологических основ и отработка технологии лазерного микробампирования со струйной подачей припоя».
Грант выделяется на реализацию проекта в интересах квалифицированного заказчика в 2026-2028 годах.
Размер гранта составит до 30 млн рублей в год при обязательном софинансировании квалифицированным заказчиком в объеме не менее 5 процентов от общего размера гранта Фонда.
📌 Заявки на конкурс представляются до 17:00 (мск) 5 ноября 2026 года.
📌 Результаты конкурсного отбора будут подведены до 8 декабря 2026 года.
Подробности на сайте РНФ