Российские ученые создали уникальный материал для электроники будущего
http://umstrana.ru/article/v-rossii-sozdali-unikalnyy-material-dlya-elektroniki-budushchego/
Современная электроника базируется на кремниевом транзисторе, способном находиться в состоянии ноля или единицы. В будущем эти параметры будут задаваться так называемым спином электрона, его квантовым состоянием, которое в определенных условиях тоже может принимать ровно одно из двух значений.
Спинтроника приведет к уменьшению размеров электронных приборов, а также решению проблемы постоянного охлаждения.
Все это станет возможным, если создать такой спинтронный материал, который позволил бы безболезненно интегрировать новую технологию в существующую кремниевую электронику.
Ученым Курчатовского института первым удалось создать такой материал. Разработка представляет собой тончайшую пленку магнита толщиной от одного до нескольких атомных слоев, позволяющего выстроить спины электронов в одном направлении и реализовать на его основе спинтронную технологию.
По словам руководителя лаборатории новых элементов наноэлектроники Курчатовского комплекса НБИКСприродоподобных технологий, доктора физико-математических наук, профессора Вячеслава Сторчака, переход электроники на спинтронные технологии займет около 20 лет, а процесс уменьшения размеров электронных устройств и увеличения их быстродействия продолжится, несмотря на столкновение с физическими барьерами.
http://umstrana.ru/article/v-rossii-sozdali-unikalnyy-material-dlya-elektroniki-budushchego/
Современная электроника базируется на кремниевом транзисторе, способном находиться в состоянии ноля или единицы. В будущем эти параметры будут задаваться так называемым спином электрона, его квантовым состоянием, которое в определенных условиях тоже может принимать ровно одно из двух значений.
Спинтроника приведет к уменьшению размеров электронных приборов, а также решению проблемы постоянного охлаждения.
Все это станет возможным, если создать такой спинтронный материал, который позволил бы безболезненно интегрировать новую технологию в существующую кремниевую электронику.
Ученым Курчатовского института первым удалось создать такой материал. Разработка представляет собой тончайшую пленку магнита толщиной от одного до нескольких атомных слоев, позволяющего выстроить спины электронов в одном направлении и реализовать на его основе спинтронную технологию.
По словам руководителя лаборатории новых элементов наноэлектроники Курчатовского комплекса НБИКСприродоподобных технологий, доктора физико-математических наук, профессора Вячеслава Сторчака, переход электроники на спинтронные технологии займет около 20 лет, а процесс уменьшения размеров электронных устройств и увеличения их быстродействия продолжится, несмотря на столкновение с физическими барьерами.