TGStat
TGStat
Type to search
Advanced channel search
  • flag English
    Site language
    flag Russian flag English flag Uzbek
  • Sign In
  • Catalog
    Channels and groups catalog Regional compilations Thematic compilations Платные каналы Search for channels
    Add a channel/group
  • Ratings
    Rating of channels Rating of groups Posts rating
    Ratings of brands and people
  • Analytics
  • Search by posts
  • Telegram monitoring
  • Promotion
    Advertising through Yandex Business Advertising in channels through TGStat Agency Advertising on TGStat.ru website
С первой ревизии

1 Mar, 11:08

Open in Telegram Share Report

Как ставить конденсаторы?

Часто слышу такое правило: «Входные конденсаторы и источник питания должны стоять на одной стороне и соединяться полигоном в одном слое без переходных».

Что же лежит в основе этого утверждения? Разработчики таким способом пытаются снизить индуктивность контура с большим dI/dt. Чем больше контур, тем больше будет амплитуда бросков напряжения.

Но действительно ли наименьший контур получается, если соединять конденсаторы без переходных?
На картинке представлены 3 варианта компоновки:
1. Конденсаторы на одной стороне с силовыми ключами, петля замыкается через первый и второй слои (optimal power loop);
2. Конденсаторы стоят прям под ключами, петля замыкается через верхний и нижний слои (vertical power loop);
3. Вариант компоновки из правила. Конденсаторы на одной стороне с силовыми ключами, петля замыкается на верхнем слое (lateral power loop).

Результаты моделирования и измерения трех вариантов можно видеть на графиках. Выигрывает optimal power loop. У него наименьшая площадь петли, паразитная индуктивность слабо зависит от толщины платы. Хуже всего себя показал классический lateral loop. Действительно, via добавляют индуктивность, но она снижается при росте их числа. В отличии от via, индуктивность петли никак не снизить. Кроме того, у lateral loop есть и другие недостатки, которые указаны в таблице.

Дополнительно добавлю: данные исследования проводились на GaN, которые имеют гораздо большие dI/dt, чем стандартные мосфеты, используемые в большинстве источников. Приходим к выводу, что использовать via и ставить конденсаторы на другую сторону не так уж и плохо, тем более если плата плотная.

3k 4 103 22 26
Catalog
Channels and groups catalog Channels compilations Search for channels Add a channel/group
Ratings
Rating of Telegram channels Rating of Telegram groups Posts rating Ratings of brands and people
API
API statistics Search API of posts API Callback
Our channels
@TGStat @TGStat_Chat @telepulse @TGStatAPI
Read
Академия TGStat Telegram Research 2019 Telegram Research 2021 Telegram Research 2023
Contacts
Справочный центр Support Email Jobs
Miscellaneous
Terms and conditions Privacy policy Public offer
Our bots
@TGStat_Bot @SearcheeBot @TGAlertsBot @tg_analytics_bot @TGStatChatBot