TGStat
TGStat
Qidiruv uchun matnni kiriting
Ilg‘or kanal qidiruvi
  • flag Uzbek
    Sayt tili
    flag Russian flag English flag Uzbek
  • Saytga kirish
  • Katalog
    Kanal va guruhlar katalogi Hududiy to‘plamlar Tematik to‘plamlar Платные каналы Kanallar qidiruvi
    Kanal/guruh qo‘shish
  • Reytinglar
    Kanallar reytingi Guruhlar reytingi Postlar reytingi
    Brendlar va shaxslar reytingi
  • Analitika
  • Postlarda qidiruv
  • Telegram'ni kuzatish
  • Targ‘ibot
    Yandex Business orqali reklama Реклама в каналах через TGStat Agency Реклама на сайте TGStat.ru
С первой ревизии

1 Mar, 11:08

Telegram'da ochish Ulashish Shikoyat qilish

Как ставить конденсаторы?

Часто слышу такое правило: «Входные конденсаторы и источник питания должны стоять на одной стороне и соединяться полигоном в одном слое без переходных».

Что же лежит в основе этого утверждения? Разработчики таким способом пытаются снизить индуктивность контура с большим dI/dt. Чем больше контур, тем больше будет амплитуда бросков напряжения.

Но действительно ли наименьший контур получается, если соединять конденсаторы без переходных?
На картинке представлены 3 варианта компоновки:
1. Конденсаторы на одной стороне с силовыми ключами, петля замыкается через первый и второй слои (optimal power loop);
2. Конденсаторы стоят прям под ключами, петля замыкается через верхний и нижний слои (vertical power loop);
3. Вариант компоновки из правила. Конденсаторы на одной стороне с силовыми ключами, петля замыкается на верхнем слое (lateral power loop).

Результаты моделирования и измерения трех вариантов можно видеть на графиках. Выигрывает optimal power loop. У него наименьшая площадь петли, паразитная индуктивность слабо зависит от толщины платы. Хуже всего себя показал классический lateral loop. Действительно, via добавляют индуктивность, но она снижается при росте их числа. В отличии от via, индуктивность петли никак не снизить. Кроме того, у lateral loop есть и другие недостатки, которые указаны в таблице.

Дополнительно добавлю: данные исследования проводились на GaN, которые имеют гораздо большие dI/dt, чем стандартные мосфеты, используемые в большинстве источников. Приходим к выводу, что использовать via и ставить конденсаторы на другую сторону не так уж и плохо, тем более если плата плотная.

3k 4 103 22 26
Katalog
Kanal va guruhlar katalogi Kanallar to‘plamlari Kanallar qidiruvi Kanal/guruh qo‘shish
Reytinglar
Telegram-kanallar reytingi Telegram-guruhlar reytingi Postlar reytingi Brendlar va shaxslar reytingi
API
Statistika API'si Postlar qidiruvi API'si API Callback
Kanallarimiz
@TGStat @TGStat_Chat @telepulse @TGStatAPI
O‘qish
Академия TGStat Telegram tadqiqoti 2019 Telegram tadqiqoti 2021 Telegram tadqiqoti 2023
Kontaktlar
Справочный центр Qo‘llab-quvvatlash Email Vakansiyalar
Har xil narsalar
Foydalanuvchi shartnomasi Maxfiylik siyosati Ommaviy oferta
Botlarimiz
@TGStat_Bot @SearcheeBot @TGAlertsBot @tg_analytics_bot @TGStatChatBot